國內半導體清洗設備：濕法、腐蝕、刻蝕與化鍍的關鍵技術支撐
在半導體制造的復雜工藝流程中，清洗設備至關重要，其中涉及濕法、腐蝕、刻蝕以及化鍍等關鍵工藝環節，對芯片的質量、性能和生產效率有著決定性影響。
濕法清洗作為半導體清洗的基礎手段，利用化學試劑與芯片表面雜質的化學反應，配合超聲波、噴淋等物理作用，有效去除有機物、無機物和微粒等污染物。例如，使用硫酸、雙氧水混合液可去除重金屬離子污染，氨水、雙氧水溶液能高效清理有機污垢，為后續工藝提供潔凈的芯片表面。
腐蝕工藝則側重于特定材料的去除，通過化學腐蝕液精確控制硅片等基底材料的腐蝕速率和深度，以形成所需的圖形或結構。如在制造半導體器件的電極接觸區域時，對多余金屬層的腐蝕處理，要求腐蝕液具備高選擇性，避免對下方半導體材料造成損傷，確保器件電學性能不受影響。
刻蝕工藝是半導體制造的核心環節之一，分為濕法刻蝕和干法刻蝕。國內在濕法刻蝕方面不斷取得突破，通過研發高性能刻蝕液，能夠實現對硅、二氧化硅、金屬等材料的高精度刻蝕。例如在集成電路制造中，利用氫氟酸等刻蝕液對二氧化硅層進行刻蝕，精確控制刻蝕深度和線條寬度，形成復雜的電路圖案，其刻蝕精度可達納米級，滿足日益提高的芯片集成度要求。
化鍍工藝則為半導體器件提供良好的金屬涂層防護和導電通路。通過化學置換或氧化還原反應，在芯片表面沉積銅、鎳等金屬層。如在芯片互連技術中，化學鍍銅可實現細小孔隙內的均勻填充，降低電阻，提高信號傳輸性能，同時增強芯片的抗腐蝕能力和機械穩定性。
國內半導體清洗設備在濕法、腐蝕、刻蝕和化鍍等領域不斷發展壯大，憑借技術創新和產業升級，逐步提升設備性能和競爭力，為我國半導體產業的自主可控發展提供了堅實保障，助力芯片制造邁向更高水平。
