變頻器直流供電整流電源系統概述：
1 采用二極管全控整流；符合GB/T3859.1-93《半導體變流器 基本要求的規定》、GB/T3859.2-93《半導體變流器 變壓器和電抗器》等國家標準。
2 硅整流管批量老化、篩選，逐只測試，并采用高可靠元件，適當提高一定保守系數；選用美國西屋技術單晶硅為丹麥芯片，由湖北臺基半導體生產的元件：ZP-1600A/1600V。
3 采用交流側預充電主回拓撲電路，設置“緩起電路”使變頻器電容慢慢充電。
4 采用優良的強風冷卻系統。
5 出線方式：下進下出。
6 有齊備的警示系統、報警系統、安全保護系統和控制系統；
7 有較高抗雷電及防干擾性能；
8 與整流變壓器配合控制對電力系統高次諧波分量影響的指標，符合IEC61000-3-4《國際電工委員會 諧波總量》的指標。
變頻器直流供電整流電源整流裝置技術參數：
1、型號：ZQF（W）—— 1500A /510V
2、環境條件：戶內式
3、用途：變頻器前級提供直流電源
4、額定直流輸出電流： DC 1500A
5、額定直流輸出電壓： DC 510V
6、額定電網輸入電壓：主供電：三相AC400V±5% 50HZ ±1% 控制電：AC220V±5% 50HZ ±1%
7、調壓方式：不可調
8、整流裝置在額定運行情況下的效率不低于96%
9、電聯接方式：三相橋式二極管整流
10、直流電流，直流電壓輸出為模擬信號
11、本套設備的設計，制造，裝配和試驗符合或高于以下標準規定：
△ GB/T 3859-93 《半導體電力變流器》
△ GB/T 8740-1998 《電化學用整流器》
△ JB/T2423-1999 《電力半導體器件 型號編制方法》
△ JB/T8175-1999 《電力半導體器件用型材散熱體 外形尺寸》
△ JB/T4276-1999 《變流器 產品包裝技術條件》
△ JB/T7062-1993 《半導體變流器聯結的標志代號》
△ JB/T56217-1999 《半導體變流器產品質量分等 通則》
△ GB/T3539.4-92《低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求》
△ GB4940 《可控硅整流元件》
△ GB/T13422-92 《半導體電力變流器電器試驗方法》
△ GB4208-93 《電器產品外殼防護試驗標準》
△ GB/T14594-93 《無氧銅板和帶》（帶材部分）
△ GB/T15291-94 《半導體器件 第6部分 晶閘管》
△ IEC-146-1,2,3 國際電工標準
內置電容預充電電路
一、預充電回路介紹
在電壓源型變頻器整流電路中，*常見的就是六脈動二極管整流，對于6脈動二極管整流，由于二極管為不可控器件，為了減小變頻器上電瞬間，對電網的沖擊，以及二極管器件本身的電流限制，還有對濾波電容的沖擊電流，需要限制瞬間電流，其限流部分（預充電電阻）有的布置在直流側，有的布置在交流側，主回路拓撲結構也有區別。電容隔直通交、存儲電荷、耦合、濾波等等，而在變頻器的主回路當中，直流電容的主要作用就是濾波和儲能，在交流電換相時釋放能量，保證直流電壓穩定，從儲能和濾波角度講當然電容的容值越大越好，但是在變頻器的主回路中，大的電容也會導致變頻器上電初期，電容處于過渡過程，容易導致回路電流過大，因此必須設置“緩起電路”，使得電容慢慢充電，不至于影響電源、整流二極管、以及電容自身性能，因此預充電回路應運而生。
二、交流側預充電主回拓撲電路原理圖
三、變頻器直流供電整流電源產品展示
變頻器直流供電整流電源系統概述：
1 采用二極管全控整流；符合GB/T3859.1-93《半導體變流器 基本要求的規定》、GB/T3859.2-93《半導體變流器 變壓器和電抗器》等國家標準。
2 硅整流管批量老化、篩選，逐只測試，并采用高可靠元件，適當提高一定保守系數；選用美國西屋技術單晶硅為丹麥芯片，由湖北臺基半導體生產的元件：ZP-1600A/1600V。
3 采用交流側預充電主回拓撲電路，設置“緩起電路”使變頻器電容慢慢充電。
4 采用優良的強風冷卻系統。
5 出線方式：下進下出。
6 有齊備的警示系統、報警系統、安全保護系統和控制系統；
7 有較高抗雷電及防干擾性能；
8 與整流變壓器配合控制對電力系統高次諧波分量影響的指標，符合IEC61000-3-4《國際電工委員會 諧波總量》的指標。
變頻器直流供電整流電源整流裝置技術參數：
1、型號：ZQF（W）—— 1500A /510V
2、環境條件：戶內式
3、用途：變頻器前級提供直流電源
4、額定直流輸出電流： DC 1500A
5、額定直流輸出電壓： DC 510V
6、額定電網輸入電壓：主供電：三相AC400V±5% 50HZ ±1% 控制電：AC220V±5% 50HZ ±1%
7、調壓方式：不可調
8、整流裝置在額定運行情況下的效率不低于96%
9、電聯接方式：三相橋式二極管整流
10、直流電流，直流電壓輸出為模擬信號
11、本套設備的設計，制造，裝配和試驗符合或高于以下標準規定：
△ GB/T 3859-93 《半導體電力變流器》
△ GB/T 8740-1998 《電化學用整流器》
△ JB/T2423-1999 《電力半導體器件 型號編制方法》
△ JB/T8175-1999 《電力半導體器件用型材散熱體 外形尺寸》
△ JB/T4276-1999 《變流器 產品包裝技術條件》
△ JB/T7062-1993 《半導體變流器聯結的標志代號》
△ JB/T56217-1999 《半導體變流器產品質量分等 通則》
△ GB/T3539.4-92《低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求》
△ GB4940 《可控硅整流元件》
△ GB/T13422-92 《半導體電力變流器電器試驗方法》
△ GB4208-93 《電器產品外殼防護試驗標準》
△ GB/T14594-93 《無氧銅板和帶》（帶材部分）
△ GB/T15291-94 《半導體器件 第6部分 晶閘管》
△ IEC-146-1,2,3 國際電工標準
