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廣電計量檢測集團股份有限公司

MOS雪崩能量測試服務(wù)-第三方檢測中心

參考價99.00
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號長禾CNAS
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2025/5/19 11:00:25
  • 訪問次數(shù)108
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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡稱“長禾實驗室”),位于中國西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新,是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測與驗證的企業(yè)。

作為國家認可委員會(CNAS)正式認證的大功率器件測試服務(wù)中心,長禾實驗室嚴格遵循國際標準,致力于為國內(nèi)外客戶提供一站式、專業(yè)測試服務(wù)。實驗室配備功率半導(dǎo)體測試設(shè)備和自動化測試平臺,全面覆蓋IGBTMOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗證、可靠性評估和失效分析。憑借技術(shù)實力和創(chuàng)新能力,已成長為國內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務(wù)的機構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電(風電、光伏)、新能源汽車、國防、工業(yè)控制、科研機構(gòu)等多個領(lǐng)域,為中國核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅實的技術(shù)保障。

完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀團隊一直是實驗室強化的重點,實驗室核心團隊研究生占比70%以上,具備深厚的學(xué)術(shù)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗。在質(zhì)量控制方面,實驗室建立了完善的質(zhì)量管理體系,嚴格執(zhí)行實驗室管理標準。每個測試項目均建立了詳細的作業(yè)指導(dǎo)書,確保測試過程的標準化和可追溯性,數(shù)據(jù)的準確性和可靠性。

長禾實驗室秉持“嚴謹求實、精益求精”的企業(yè)精神,致力于推動中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展,助力打造具備競爭力的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。未來,長禾實驗室將繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)和資源優(yōu)勢,立足西安,努力成長為優(yōu)秀的功率半導(dǎo)體測試與驗證服務(wù)平臺,助力中國“芯”騰飛!

 

功率半導(dǎo)體器件電參數(shù)測試,可靠性老化測試,環(huán)境老化,器件極限能力測試服務(wù)。
加工定制
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功率器件參數(shù)驗證與二次篩選測試:保障器件性能穩(wěn)定,助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級元器件檢測:針對新能源汽車領(lǐng)域,提供符合嚴苛車規(guī)標準的功率器件篩選與可靠性驗證,助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實驗:模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài),確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長期可靠運行。
失效分析及可靠性評估:快速精準定位元器件失效根因,為產(chǎn)品改進和技術(shù)迭代提供有力支撐
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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(簡稱“長禾實驗室”),位于中國西部科技創(chuàng)新高地——西安市,專注于功率半導(dǎo)體器件檢測與驗證。作為國家認可委員會(CNAS)正式認證的大功率器件測試服務(wù)中心,長禾實驗室嚴格遵循國際標準,致力于為國內(nèi)外客戶提供一站式專業(yè)測試服務(wù)。實驗室配備功率半導(dǎo)體測試設(shè)備和自動化測試平臺,全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗證、可靠性評估和失效分析。憑借技術(shù)實力和創(chuàng)新能力,已成長為國內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務(wù)的機構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電(風電、光伏)、新能源汽車。

雪崩耐量測試(UIS)

執(zhí)行標準:MIL-STD-750,IEC60747,客戶自定義;

試驗對象:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V,檢測 電流:200A

試驗參數(shù):雪崩能量EAS

正向浪涌電流測試    

執(zhí)行標準:MIL-STD-750IEC60747,客戶自定義;

試驗對象:DIODESi/SiC)、整流橋、SCRIGBT

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電流:10000A10ms/8.3ms正弦半波,100us/1ms/10ms方波。

試驗參數(shù):浪涌電流IFSM/ITSMi2t

雷擊浪涌      8/20us,10/1000us

介電性測試  

執(zhí)行標準:GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007;

試驗對象:Si、SiC·MOSFET;

試驗?zāi)芰Γ簷z測 電壓:4500V,檢測 電流:200A

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關(guān)鍵詞:新能源
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