封裝InGaAs光電二極管（PD），針對高輸入光功率和輸出（max）電流線性進行了優化。該設備設計用于需要高動態范圍、低噪聲系數和高RF增益的光纖鏈路上的RF。內部部件采用焊接和激光焊接，確保在環境溫度變化的情況下實現更大的可靠性和性能穩定性。為了確保更大的射頻輸出平面度，光電二極管具有50歐姆的片上終端和直流耦合輸出。

• 高響應度
• 高的光功率處
• 高線性
• 50?片上阻抗匹配
• 封裝內去耦電容器
• 輸出端無需偏置T
• 激光焊接組件
• 密封
• XLMD MSA封裝兼容

產地：美國

光電二極管電壓：-0.1...8 V

光學輸出功率：max.80 mW

輸出功率損壞閾值：275 mW（5.5V偏置）

200 mW（7.5V偏置）

ESD輸出引腳：-250...250 V

光纖彎曲半徑：10 mm

波長范圍：1500...1580 nm

響應性：0.8...0.85 A/W

偏振相關靈敏度（PDS）：0.2...0.3 dB

射頻帶寬：min.20 dB

暗電流：20...50 nA

PD反向偏置：3...7.5 V

光學飽和功率：min.18 dBm

光回波損耗：min.-27 dB

輸出反射系數：min.-10 dB

射頻輸出端接：50Ω

工作溫度：-40...+85°C

儲存溫度：-55...+95°C

工作濕度：0...90%RH

需要高增益、高動態范圍和低噪聲系數的射頻光纖互連

惡劣的環境